STATEK高溫晶體CX1HT EXT和CX4HT EXT
發布時間:2024-07-11 09:13:44 瀏覽:1017
STATEK 提供的高溫晶體 CX1HT EXT 和 CX4HT EXT系列,是為需要在極端高溫環境下穩定運行的應用而設計的。這些晶體能夠在高達 200°C 的溫度下工作,并且預計壽命超過 100,000 小時,使其特別適合于工業、井下儀器、旋轉軸傳感器和地下鉆探工具等場合。
主要特點
高溫操作:最高可達 200°C。
高抗沖擊性:能夠承受高沖擊負荷。
低電磁干擾(EMI)輻射:減少對其他電子設備的干擾。
氣密性陶瓷封裝:提供額外的保護,確保晶體的穩定性和可靠性。
規格參數
Freaueng Range | Motonal Resintance R1025*C | oiooal Capacitance 01025*C | Shunt Capaodanoe C0025°C | Quality Factor 0@25°C | Load Capacitance CL Load | Turoener Teomp To)(C) | Drve Leve | |
CX1HT EXT | 530 kH ta 2.1 MHz | 5000@1.0MHz 3009@1.8432 MHz | 2.0fF 01.0 MHz 2.8fF@1.8432 MHz | 1.1 pF@1.0 MHz 1.3 pF@1.8432 MHz | 90KO1.0 MHz 110K@1.8432 MHz | 7 pF | 35℃ | 3 μW MAX |
CX4HT EXT | 600 kHz to 2.5 MHz | 3009@600 kHz 5000@1.8432 MHz | 2.3fF@32.768 kHz 1.0fF@100 kHz | 2.0f MA0X | 8K032.768 kHz 31K@100kHz | 9pF | 35°℃ | 3 μW MAX |
應用領域
井下儀器
旋轉軸傳感器
地下鉆探工具
以及其他需要高溫穩定性和可靠性的工業應用
訂購指南:
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推薦資訊
iNRCORE 1000B-5001變壓器模塊符合IEEE 802.3標準,具350μH電感、8mA最大直流偏置電流,工作溫度-40°C至+85°C,存儲溫度-55°C至+125°C。封裝為Epoxy Encapsulated Package,表面處理為Sn63/Pb37無鉛。
?在電子器件中,射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等),而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。
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