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Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2025-05-29 09:00:32     瀏覽：827

　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引腳封裝，低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG)，具有雪崩能力，氣密封裝，適用于高可靠性應(yīng)用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET

　　主要參數(shù)

　　漏源電壓(VDS)：1200V

　　連續(xù)漏極電流(ID)：25°C時(shí)為17A

　　導(dǎo)通電阻(RDS(on))：25°C時(shí)為160mΩ

　　柵極閾值電壓(VGS(th))：1.8V~3.6V

　　最大功耗(PD)：97W

　　工作溫度(TJ)：-55°C~+175°C

　　體二極管特性

　　正向電壓(VSD)：4.25V

　　反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：34ns

　　反向恢復(fù)電荷(Qrr)：197nC

　　應(yīng)用領(lǐng)域

　　開關(guān)電源

　　DC-DC轉(zhuǎn)換器

　　PFC電路

　　電機(jī)驅(qū)動(dòng)

　　機(jī)器人控制

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