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  SD11705/SD11707碳化硅MOSFET Solitron Devices 2023-12-27 09:58:19

  Solitron? SD11705 和 SD11707 是兩款1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 器件，采用密封的 TO-258 封裝，專為最苛刻的工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用而設(shè)計。工作溫度范圍為-55°C至175°C，兩款器件均提供50A的連續(xù)漏極電流。SD11705提供 RDS(開)為 32mΩ，而 SD11707 具有 RDS(開)16mΩ。也可根據(jù)要求提供 200°C 工作溫度。

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  BF998E6327HTSA1硅N溝道MOSFET射頻放大器Infineon英飛凌 2024-07-01 09:26:24

  BF998E6327HTSA1是英飛凌硅N溝道MOSFET射頻放大器，專為射頻環(huán)境設(shè)計，適用于放大和切換電子信號。其最大功耗200 mW、工作溫度范圍-55 °C至150 °C、最大頻率1000 MHz,應(yīng)用領(lǐng)域包括機頂盒、電視和車載收音機。電氣參數(shù)包括門輸入電容2.1 pF、輸出電容1.1 pF、正向跨導(dǎo)24 mS、功率增益20 dB @ 800 MHz、最大連續(xù)漏電流30 mA、最大漏源電壓12 V、噪聲系數(shù)1.80 dB @ 800 MHz、總功耗200 mW。封裝類型為SOT143。